全自動單晶圓清洗機 AST-T02-CL
設備特點:
高(gāo)壓清洗：最大(dà)輸出壓力可(kě)達4000 PSI，可(kě)以使用(yòng)去離子水(shuǐ)或溶劑化(huà)學品，所搭配的(de)高(gāo)壓噴頭爲 Needle Type。氣動高(gāo)壓Pump 配合高(gāo)壓噴頭，依制程需要配置壓力輸出。
二流體清洗：充分(fēn)發揮二流體的(de)清洗效能，對(duì)于0.3 μm 以下(xià)的(de) particle 有良好的(de)去除能力，搭配各式噴頭的(de)工藝于産品。二流體壓力7kg/cm2以内。
化(huà)學清洗：适用(yòng)于界面活性劑，溶劑型或堿性的(de)清洗液，搭配溫控系統，諸如 Flux 清洗或 SC1清洗制程等，提供客戶最适的(de)制程選擇。配備不鏽鋼清洗液加熱(rè)供應槽，最高(gāo)控制溫度達 95 °C。
·高(gāo)速、平穩、抗靜電之 Spin Chuck，最高(gāo)轉速 >5000 rpm。
·藉由化(huà)學品的(de)選用(yòng)，适合的(de)噴頭及程控，增強底部間隙的(de)清洗能力。
·Semi-close 腔體設計，使Exhaust 表現最佳抽氣狀态。
二流體清洗：充分(fēn)發揮二流體的(de)清洗效能，對(duì)于0.3 μm 以下(xià)的(de) particle 有良好的(de)去除能力，搭配各式噴頭的(de)工藝于産品。二流體壓力7kg/cm2以内。
化(huà)學清洗：适用(yòng)于界面活性劑，溶劑型或堿性的(de)清洗液，搭配溫控系統，諸如 Flux 清洗或 SC1清洗制程等，提供客戶最适的(de)制程選擇。配備不鏽鋼清洗液加熱(rè)供應槽，最高(gāo)控制溫度達 95 °C。
·高(gāo)速、平穩、抗靜電之 Spin Chuck，最高(gāo)轉速 >5000 rpm。
·藉由化(huà)學品的(de)選用(yòng)，适合的(de)噴頭及程控，增強底部間隙的(de)清洗能力。
·Semi-close 腔體設計，使Exhaust 表現最佳抽氣狀态。
主要技術參數：
Purpose :
Applicable :
Load / Unload :
Chuck :
Equipment Control :
Scanning Arm :
Process Feature
This equipment can do wafer particle remove and flux residue cleaning.
12”/8” Wafer Cleaning
EFEM
Vacuum chuck
Touch type IPC + PLC Control
Process Arm Control with Scanning function.
·2-fluid Spray ： 2~7kg/cm2
·HPC 60~200 kg/cm2
·DIW Stream Nozzle：1~3 kg/cm2
·N2 ：Jet Nozzle 5~7kg/cm2
·Megasonic：DIW + Mega sonic (Spot NozzleType)
·Flux cleaning chemical ： Stream nozzle
·Steam clean： Steam + DI water (1~4 kg/cm2)
·HPC 60~200 kg/cm2
·DIW Stream Nozzle：1~3 kg/cm2
·N2 ：Jet Nozzle 5~7kg/cm2
·Megasonic：DIW + Mega sonic (Spot NozzleType)
·Flux cleaning chemical ： Stream nozzle
·Steam clean： Steam + DI water (1~4 kg/cm2)
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